四氟化碳，又称为四氟甲烷,既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。今天纽瑞德特气小编月月为大家带来使用四氟化碳电浆处理三氧化钼之电荷捕捉层在快闪记忆体的应用介绍。
于此我们将对三氧化钼和钛参杂三氧化钼电荷捕捉层做探讨，而高介电系数材料之mohos型记忆体能取代传统sonos型记忆体是由于其拥有高的电荷捕捉密度，好的热稳定度，较大的导电带平移和较薄的等效氧化层厚度，在我们应用三氧化钼和钛参杂之三氧化钼做为电荷捕捉层的结果得知钛参杂之三氧化钼再经过热退火后展现出了较佳的记忆体表现，如较大的记忆窗口、较快的写入/抹除速度、较好的电荷保存能力和较佳之原件耐久度。
除此之外，我们在三氧化钼电荷捕捉层上使用四氟化碳电浆处理，在经过电浆处理后，记忆体将拥有较佳之迟滞现象以及较快的写入/抹除速度。最后我们将比较二氧化铈和钛参杂之二氧化铈之物性和电性，相较于二氧化铈，二氧化铈在经过钛参杂后展现出较大的电容-电压迟滞6.1v、较大的平带电压偏移、较小的电荷溢失9.9%和较佳的耐久度(在经过104次写入抹除循环仍保有2.5v记忆窗口)。
小常识：
高纯四氟化碳可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-h2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
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