mo源也就是高纯金属有机化合物，是现代化合物半导体产业的支撑源材料，是半导体照明(led)产业链的源头材料。从全球市场来看，mo源主要的应用领域是移动设备的背光源、液晶显示器背光源、液晶大屏幕背光源、半导体激光器及航天高效太阳能电池等高端军品技术领域、信号灯、汽车照明和半导体照明等光电子技术领域。
mo源种类繁多，在研究和生产中使用过的mo源超过70多种， mo源概念已超出金属有机化合物的范围，现在mo源的含义应是：凡在mocvd外延技术中作为基本材料使用的金属或元素有机化合物统称为mo源，因此mo源在外国文献中常笼统地称为“mocvd的前体物”。但是在化合物半导体材料研发和生产中，除ⅴ、ⅵ族元素的氢化物（如nh3、ash3、h2se等）外，mocvd工艺使用的高纯基础材料主要是ⅱ、ⅲ族的金属有机化合物（如tmga、dmcd等）和ⅴ、ⅵ族元素有机化合物（tbp、tbas等），目前在mocvd工艺中使用的ⅴ、ⅵ族材料仍是元素的氢化物为主。
目前mo源的应用主要有三种形式：一，金属氧化物的前躯体材料。所谓金属氧化物就是通过mo源与水或者臭氧等介质反应，生成氧化物，这一过程就形成了氧化物的mo源。例如 aled中应用到的三甲基铝和水蒸气反应，形成氧化铝的薄膜，这就是mo源通常最普遍的应用;二，金属氮化物的前躯体材料;三，金属薄膜的前躯体材料。mo源常温下是液态，容易长期储存，化学性质不会改变。在mocvd中，mo通过高层的氨气等化合物以反应生成氮化物、磷化物等生化物，沉积在衬底上，最终形成化合物——半导体。
据吕宝源介绍，由于设备的大型化发展，mocvd机台不断扩大，mo源的需求量也不断加大，所以容器随之改变。为应对大型化设备趋势，mo源用大包装容器进行灌装，并且越来越多的用户在接受集中供给的理念。
mo源是半导体照明产业链的原材料，同时也是一个极度危险的化学品，在使用过程中还存在一些问题：首先mo源活泼性非常大。对空气和水汽极为敏感，在空气中瞬间自燃，遇水发生猛烈爆炸。mocvd工艺要求mo源中不含或含极低的氧，因此对合成、纯化、分析、灌装等设备材料以及防护措施和操作条件要求苛刻;第二，常用的三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝在高温生长时会产生甲基自由基，甲基自由基在生长温度下能分解出碳原子，对薄膜材料造成不可控碳沾污，从而降低材料的光电性能;第三，三甲基铟、二茂镁等是固态mo源，随着使用量的下降，使用蒸汽压不够稳定。
